Tantalum Crucibles For E-Beam Sources high quality
1/
Χωνευτήρια τανταλίου για Ε-Πηγές δέσμης
Τα χωνευτήρια τανταλίου για πηγές δέσμης E είναι δοχεία σχεδιασμένα-ακρίβειας που χρησιμοποιούνται σε συστήματα εξάτμισης δέσμης ηλεκτρονίων, όπου η υψηλή θερμική σταθερότητα και η εξαιρετικά χαμηλή απαέρωση είναι απαραίτητα για τη διατήρηση της ακεραιότητας του κενού και της καθαρότητας της εναπόθεσης.
Αποστολή ερώτησής
Περιγραφή
Τεχνικές παράμετροι
Ο ρόλος των χωνευτηρίων τανταλίου στην εξάτμιση δέσμης ηλεκτρονίων
Τα χωνευτήρια τανταλίου για πηγές δέσμης E είναι δοχεία σχεδιασμένα-ακρίβειας που χρησιμοποιούνται σε συστήματα εξάτμισης δέσμης ηλεκτρονίων, όπου η υψηλή θερμική σταθερότητα και η εξαιρετικά χαμηλή απαέρωση είναι απαραίτητα για τη διατήρηση της ακεραιότητας του κενού και της καθαρότητας της εναπόθεσης.
Στην εναπόθεση δέσμης E, μια εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων εξατμίζει το υλικό πηγής μέσα στο χωνευτήριο και ο ατμός που προκύπτει συμπυκνώνεται σε υποστρώματα ως λεπτές μεμβράνες. Το ταντάλιο επιλέγεται επειδή το υψηλό σημείο τήξης του επιτρέπει την εξάτμιση πυρίμαχων μετάλλων (π.χ. W, Mo, Ta το ίδιο) και οξειδίων χωρίς αστοχία του χωνευτηρίου. Η χαμηλή τάση ατμών του σε θερμοκρασίες λειτουργίας (<10⁻⁸ Pa at 2500 °C) prevents crucible material from contaminating the deposited film. Additionally, tantalum's low outgassing rate (<10⁻⁹ Torr·L/s·cm²) helps sustain UHV conditions (<10⁻⁷ Pa) crucial for high‑performance optics and semiconductor coatings.
Ιδιοκτησία
Τιμή / Εύρος
Σημασία στη λειτουργία της πηγής E-Beam
Σημείο τήξης
3017 μοίρες
Επιτρέπει την εξάτμιση υλικών με υψηλό σημείο τήξης-
Πίεση ατμών @ 2500 μοίρες
<10⁻⁸ Pa
Εξαλείφει τη μόλυνση από ατμούς από χωνευτήριο
Ποσοστό εξαγωγής αερίων (UHV)
<10⁻⁹ Torr·L/s·cm²
Διατηρεί την ποιότητα κενού για καθαρές εναποθέσεις
Θερμική αγωγιμότητα
57 W/m·K
Εξασφαλίζει ομοιόμορφη θέρμανση και μειώνει τα hot spots
Θεωρήσεις σχεδιασμού για χωνευτήρια τανταλίου E-Beam
Τα χωνευτήρια κατασκευάζονται με λεπτά τοιχώματα (1–3 mm) για μεγιστοποίηση της μεταφοράς θερμότητας από τη δέσμη ηλεκτρονίων, ελαχιστοποιώντας ταυτόχρονα την αποθηκευμένη θερμική μάζα. Η γεωμετρία είναι συχνά κυλινδρική με στρογγυλεμένο κάτω μέρος για να αποφευχθούν αιχμηρές γωνίες όπου το λιωμένο υλικό θα μπορούσε να λιμνάσει ή να υπερθερμανθεί τοπικά. Για να αντισταθούν σε ζημιές από ηλεκτρόνια υψηλής ενέργειας{{4}, ορισμένα σχέδια ενσωματώνουν υδρόψυκτα χιτώνια ή χρησιμοποιούν χωνευτήρια με προσαρμοσμένο προσανατολισμό κόκκων για την ομοιόμορφη κατανομή της κρούσης ηλεκτρονίων.
Θήκες βιομηχανικής χρήσης για χωνευτήρια τανταλίου E-Beam
Οπτική επίστρωση – Εξάτμιση TiO2, Al2O3 και SiO2 για φακούς και καθρέφτες λέιζερ που απαιτούν έλεγχο υψηλού δείκτη διάθλασης.Μικροηλεκτρονική – Εναπόθεση στρωμάτων φραγμού (π.χ. TaN) και διασύνδεση μετάλλων όπου η καθαρότητα επηρεάζει άμεσα την αξιοπιστία της συσκευής.Τεχνολογία εμφάνισης – Ομοιόμορφη εξάτμιση οξειδίου του κασσιτέρου του ινδίου (ITO) για διαφανείς αγώγιμες επικαλύψεις.Η συμβατότητά τους με αυτοματοποιημένα συστήματα τροφοδοσίας και η μεγάλη διάρκεια ζωής τους καθιστούν στάνταρ σε θαλάμους επικάλυψης υψηλής απόδοσης για αρχιτεκτονικά γυαλιά, οπτικά ακριβείας και προηγμένα ηλεκτρονικά υποστρώματα.
Υλικό εξάτμισης 99,95% Χωνευτήριο τανταλίου 3N5 για εξατμιστήρα δέσμης ηλεκτρονίων
